氮化铝材料正在悄悄崛起!-乐鱼app体育下载

前言

氮化铝(aln)具有高导热、绝缘、低膨胀、无磁等优异性能,是半导体、电真空等领域高端装备的关键材料。尤其是进入21世纪以来,随着微电子技术的飞速发展,电子整机和电子元器件正朝微型化、轻型化、集成化,以及高可靠性和大功率输出等方向发展,越来越复杂的器件对基片和封装材料的散热提出了更高要求,进一步促进了氮化铝产业的蓬勃发展。

原料技艺

中国粉体网讯 随着大功率和超大规模集成电路的发展,集成电路和基片间散热的重要性也越来越明显。因此,基片必须要具有高的导热率和电阻率。为满足这一要求,国内外研究学者开发出了一系列高性能的陶瓷基片材料,其中主要包括:al2o3、beo、aln、bn、si3n4、sic,但是氮化铝是综合性能最优良的新型先

中国粉体网讯 氮化铝具有高热导率、良好的电绝缘性、低介电常数、无毒等性能,应用前景十分广阔,特别是随着大功率和超大规模集成电路的发展,集成电路和基片间散热的重要性也越来越明显。因此,基片必须要具有高的导热率和电阻率。为满足这一要求,国内外研究学者开发出了一系列高性能的陶瓷基片材料,其中主要包括:al

中国粉体网讯 氮化铝陶瓷确实是个好材料,它凭借高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数、高电阻、低密度、热化学稳定性好、机械性能良好、无毒等优点,在航空航天、大规模集成电路等重要领域的应用有着巨大的优势。其中高热导率是氮化铝陶瓷的“招牌”,aln陶瓷理论导热率高达320w·m-1·k-1,而在实

中国粉体网讯 氮化铝(aln)具有高导热、绝缘、低膨胀、无磁等优异性能,是半导体、电真空等领域高端装备的关键材料,特别是在航空航天、轨道交通、新能源汽车、高功率led、5g通讯、电力传输、工业控制等领域功率器件中具有不可取代的作用。目前用于制备复杂形状aln陶瓷零部件的精密制备技术主要有模压成型、注

中国粉体网讯氮化铝有多受重视?氮化铝(aln)具有高导热、绝缘、低膨胀、无磁等优异性能,是半导体、电真空等领域高端装备的关键材料,特别是在航空航天、轨道交通、新能源汽车、高功率led、5g通讯、电力传输、工业控制等领域功率器件中具有不可取代的作用。(图片来源:厦门钜瓷)一方面,随着微电子及半导体技术

中国粉体网讯 氮化铝(aln)具有较高的热导率、较低的介电常数、可靠的电绝缘性、良好的力学性能以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良的物理化学性能,是目前最为理想的高性能陶瓷基板和封装材料,已经成为新材料领域的一大热点。氮化铝晶须,其性能可接近理论值aln陶瓷晶格中固溶的杂质原子,尤其是氧原子,对a

中国粉体网讯 随着科学技术的高速发展,人们对材料性能的要求越来越高。aln陶瓷材料具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数、高电阻、低密度、热化学稳定性好、机械性能良好、成本低、无毒等优点,使其在航空航天、大规模集成电路等重要领域的应用有着巨大的优势,因此受到国内外科研工作者和生产厂家越来越

中国粉体网讯 随着电子技术的迅猛发展,集成电路的散热性问题逐渐得到重视。高纯aln单晶的热导率最高可达到319w/(m·k)。其具有高热导率、高温绝缘性和优良介电性能、良好耐腐蚀性、与半导体si相匹配的膨胀性能等优点。因此成为优良的电子封装散热材料,能高效地散除大型集成电路的热量,是组装大型集成电路

中国粉体网讯流延成型氮化铝粉体的成型工艺有多种,传统的成型工艺诸如模压,热压,等静压等均适用。由于氮化铝粉体的亲水性强,为了减少氮化铝的氧化,成型过程中应尽量避免与水接触。另外,据中国粉体网编辑了解,热压、等静压虽然适用于制备高性能的块体氮化铝瓷材料,但成本高、生产效率低,无法满足电子工业对氮化铝陶

产业透视

2021  04-26

中国粉体网讯 近几年,碳化硅作为一种无机材料,其热度可与“半导体”、“芯片”、“集成电路”等相提并论,它除了是制造芯片的战略性半导体材料外,因其独有的特性和优势受到其它众多行业的青睐,可谓是一种明星材料。图片来源于网络随着集成电路成为了国家战略性产业,除碳化硅以外,很多半导体材料得以被研究开发,氮化

2023  05-29

中国粉体网讯 为加快中央企业科技创新成果应用推广,促进科技成果向现实生产力转化,国资委科创局组织开展科技创新成果征集遴选工作。经企业报送与专家评审,编制了《中央企业科技创新成果推荐目录(2022年版)》。近日,该目录也是进行了发布,目录包括核心电子元器件、关键零部件、分析测试仪器、基础软件、关键材料

2021  11-03
2021  10-18

中国粉体网讯 2021年9月28日至29日,由中国粉体网主办的“2021第四届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”在河南郑州隆重举行。期间,我们邀请了与会专家做客“对话”栏目,本期为您分享的人物专访是来自北京科技大学的秦明礼教授。北京科技大学秦明礼教授秦明礼教授是北京科技大学博士生导师,国家“万人计划”科技

2020  10-28

中国粉体网讯 氮化铝(aln)陶瓷具有良好的热性能、电性能、机械性能和化学稳定性,是现今较为理想的基板材料和电子封装材料。aln陶瓷的优良性能与原材料粉体的性能有着直接的关系,高性能aln粉体是制备高热导率aln陶瓷的关键。(图片来源:厦门钜瓷科技)在国外,aln粉的制造工艺已经相当成熟,商品化程度

2021  10-23

中国粉体网讯 成型是为了得到内部均匀和密度高的陶瓷坯体,是氮化铝陶瓷制备工艺中的重要环节,因为结构陶瓷的成型技术在很大程度上决定了坯体的均匀性和制备复杂形状部件的能力,并直接影响到陶瓷材料的可靠性和陶瓷零部件的制造效率与成本。由于成型过程所造成的缺陷往往是陶瓷材料的主要缺陷,一般来说,具有高均匀性、

2021  10-16

中国粉体网讯 氮化铝陶瓷作为陶瓷基板材料的一种,具有导热率高、机械强度高、热膨胀系数合适、化学稳定性好、隔离电压高、体积电阻率高、无毒环保且易于加工等突出优点,被称为最理想的基片材料。而氮化铝陶瓷是由氮化铝粉体烧结而成,高质量粉末原料是获得高性能氮化铝陶瓷的先决条件,要制备高导热的氮化铝陶瓷,首先需

2021  05-17

中国粉体网讯 随着信息技术革命的到来,集成电路产业飞速发展,电子系统集成度的提高将导致功率密度升高,以及电子元件和系统整体工作产生的热量增加,因此,有效的电子封装必须解决电子系统的散热问题。在此背景下,陶瓷基板具备优良的散热性能使得市场对其需求快速爆发,尤其是氮化铝陶瓷基板产品,尽管价格远高于其它基

2023  02-17
2022  11-24

中国粉体网讯 1862年,f.birgeler和a.geuhter首次发现了氮化铝,两位科学先驱或许没有想到,这种新材料将会在一百年后焕发怎样的光芒。20世纪70年代,随着研究的不断深入,氮化铝的制备工艺日趋成熟,其应用范围也不断扩大。21世纪后,随着微电子技术的飞速发展,电子整机和电子元器件正朝微

2021  02-01

中国粉体网讯 近几年来,氮化铝陶瓷基板市场发展迅速,以日本、德国、美国、韩国和中国台湾的maruwa、rogers/curamik、coorstek、toshiba materials、ceramtec、ferrotec、kcc corporation、denka、stellar industrie

行业应用

中国粉体网讯 氮化铝属于典型的第三代半导体材料,它具有特宽禁带和非常大的激子束缚能,其中禁带宽度为6.2ev,属于直接带隙半导体。由于氮化铝具有多种突出的优异物理性能,如高的击穿场强、热导率、电阻率等,在半导体领域中一直备受关注,也是半导体领域一直在“征服”的材料。氮化铝的性能特点aln是以共价键为

中国粉体网讯 集成电路(ic)的制造过程中有着数百道的工艺步骤,硅片需要在这些工艺设备中来回的传递运输进行加工检测。为了保证ic的制造质量,必须确保硅片在工艺设备之间的传输过程中保持绝对的平稳,同时还需保证硅片在加工载荷的作用下不会翘曲变形或偏移。这对硅片的夹持技术提出了严格的要求。鉴于硅片在加工中

中国粉体网讯氮化铝陶瓷是一种综合性能优良的新型陶瓷材料,具有优良的热传导性,可靠的电绝缘性,低的介电常数和介电损耗,无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性,被认为是新一代高集成度半导体基片和电子器件的理想封装材料。另外,氮化铝陶瓷可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、蒸发舟、热电偶的保

中国粉体网讯 随着半导体行业的发展,aln作为半导体材料中的主要代表,其所展现出的优异的性能使得其受到极大的重视。由于aln在自然与科技方面有着许多潜在的优良性能,aln薄膜也因此备受现代科研工作者的青睐。(图片来源于网络)aln薄膜的特性aln薄膜拥有诸多优异的物理化学性质,与其他半导体材料相比,

中国粉体网讯 按照推出时间早晚划分,半导体材料目前已经划分到了第三代。第一代是从集成电路发明开始,最先晶体管是锗材料,后面发展成硅材料。第二代半导体材料是20世纪八九十年代推出的砷化镓和1990年后才开始真正用到了产业上的磷化铟材料。2000年以后,主要是第三代半导体材料,以氮化镓和碳化硅为主。20

中国粉体网讯 随着功率器件特别是第三代半导体的崛起与应用,半导体器件逐渐向大功率、小型化、集成化、多功能等方向发展,对封装基板性能也提出了更高要求。陶瓷基板具有热导率高、耐热性好、热膨胀系数低、机械强度高、绝缘性好、耐腐蚀、抗辐射等特点,在电子器件封装中得到广泛应用。目前,常用电子封装陶瓷基片材料包

企业布局

中国粉体网讯 近日,国内氮化铝陶瓷基板龙头企业福建华清电子材料科技有限公司获得1.8亿元投资,创合鑫材(厦门)制造业转型升级基金合伙企业(有限合伙)(以下简称“创合鑫材基金”)领投,资金主要用于华清氮化铝陶瓷基板扩产、陶瓷金属化产品生产线建设以及新产品研发投入,助力国内新一代半导体基板材料企业从打破

中国粉体网讯 旭光股份( 600353 ),现价不到6块,总市值才30亿,而且它具有很多题材。这些题材都是实打实的,具有军工、华为电视、5g、芯片、一带一路、智能电网、4k.它的客户遍布华为、中兴、国家电网、轨道交通等业内优质企业。公司也是我国唯一能自主制造300kw以上大功率发射管的企业。该类产品

中国粉体网讯 旭光电子4月11日晚发布2022年年报,公司2022年实现营业收入11.41亿元,同比增长13.36%;实现归属于上市公司股东的净利润1亿元,同比增长72.76%。年报显示,2022年,旭光电子不断加快产业延伸与产能扩张,夯实电真空业务与军工业务板块协同发展,加快电子陶瓷材料项目的建设

中国粉体网讯 近日,2023徐州(北京)投资洽谈会在北京举行。本次活动33个项目现场签约,协议投资总额达258.8亿元。据了解,其中“343”产业项目22个,占比66.7%。优势创新产业10个,其中绿色低碳能源、新材料各4个,工程机械2个;新兴创新产业10个,其中医药健康6个,集成电路与ict3个,

中国粉体网讯 近日,天眼查app显示,厦门钜瓷科技有限公司(简称“厦门钜瓷”)发生工商变更,新增股东比亚迪股份有限公司等,同时注册资本从约3025万元增至约3487万元。据乐鱼app官网显示,厦门钜瓷成立于2016年12月27日,是一家致力于高品级氮化铝粉体及陶瓷制品研发、生产和销售的创新型高科技企业。公司拥

中国粉体网讯 9月20日,日本德山株式会社宣布将在柳井市的先进技术商业化中心开设一项研究设施,该设施用于研究功率半导体和高输出led绝缘散热基板用高散热氮化铝填料。近年来,随着电子设备的小型化和高密度安装,控制设备功耗的负担越来越重,产生的热量增加会损害设备的性能。据了解,氮化铝具有高热导率、高强度

中国粉体网讯 1月30日,东台高新区与无锡海古德新技术有限公司就“高性能氮化铝陶瓷材料项目”在江苏富乐华功率半导体研究院正式签约!该项目投资6亿元,建成后年产氮化铝基板720万片,氮化硅基板300万片。氮化铝与氮化硅是当今最炙手可热的陶瓷基板材料。随着功率器件特别是第三代半导体的崛起与应用,半导体器

中国粉体网讯 旭光电子(600353.sh)1月22日公告,公司拟非公开发行股票数量不超过1.63亿股(含本数),募集资金总额不超过5.5亿元(含本数),将用于电子封装陶瓷材料扩产项目、电子陶瓷材料产业化项目(一期)和补充流动资金。募投项目投产后,将促使公司电子陶瓷类产品的产品结构调整和产业战略升级

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该设备可用于陶瓷胚体和制品的反应烧结、无压烧结、重结晶烧结等,也可用于陶瓷粉体材料的制备。☆采用顶立科技专属超高温、大电流引电技术,能在高温条件下长时间稳定使用;☆采用特殊的高温红外测量技术,控温准确,误差小;☆配置专属密封马弗,产品产生的硅蒸汽等副产物对加热器及绝缘材料等的污染小;☆采用专用尾气处

具有优良的导热性、较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能;优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀;广泛应用于通讯器件、高亮度led、电力电子器件等行业,是一种性能优异的电子陶瓷材料

产品参数产品纳米氮化铝(aln)产品型号zh-aln-01平均粒度mm-um-50nm产品纯度99.9%比表面积42.162m2/g理论密度3.050g/cm3松装密度1.840g/cm3熔点1100℃沸点1800℃晶型近球形外观米白色蓬松粉末分散性气相法制备,易于分散液体与高分子材料中备注产品粒度

氮化铝陶瓷基板具有优良的导热性、较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能:优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀:公司生产的氮化铝基板:具有优良的热学、力学、电学性能,高导热率、高强度等优异特性。随着微电子设备的讯猛发展,高导热氯化铝基板广渎应用于通讯器件、高亮度led、电力电子器件等行业,是一种

氮化物陶瓷料浆闭式循环喷雾干燥机待干燥物料:氮化物陶瓷料浆成型剂:peg pvb研磨剂:酒精循环气体:氮气料浆固形物含量:40wt%-50wt%料浆温度:常温干燥塔进风温度:170-220℃干燥塔出风温度:80-90℃产品残余酒精含量:≤0.5%酒精蒸发能力:≥25kg/h加热方式:防爆电加热雾化方

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