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中国粉体网讯 20世纪50年代起半导体材料开始发展,至今为止开启了第三代半导体的时代。碳化硅(sic)凭借众多优良性能,使其成为基于宽带隙半导体的高温、高电压、大功率、高频电子器件和传感器的衬底上的理想材料。与此同时,近年来

资讯 高纯石墨碳化硅半导体
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